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AOK60B65H1技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 650V 60A TO-247
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AOK60B65H1技术参数详情说明:

AOK60B65H1是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的Alpha IGBT系列中的一款高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件采用先进的沟槽场截止技术,优化了载流子注入效率与漂移区电场分布,在实现低导通压降的同时,有效控制了关断损耗与拖尾电流。其内部集成了快速恢复二极管,为感性负载的续流提供了低反向恢复电荷的路径,从而提升了整体开关性能与系统可靠性。

该器件在电气性能上表现突出,其集电极-发射极击穿电压高达650V,能够从容应对工业环境中常见的电压尖峰与浪涌。在典型工作条件下(Vge=15V,Ic=60A),其饱和压降Vce(on)最大值仅为2.35V,这意味着在导通期间产生的传导损耗被显著降低。配合90nC的低栅极电荷和优化的开关特性(典型开/关延迟时间为39ns/153ns),AOK60B65H1实现了导通损耗与开关损耗之间的优异平衡,使其在高达20kHz的开关频率下仍能保持高效率运行,最大功耗可达500W。

在接口与热管理方面,AOK60B65H1采用标准输入类型,与多数主流栅极驱动电路兼容,便于系统设计。其封装为工业界广泛使用的TO-247-3通孔封装,具有良好的机械强度和成熟的安装工艺,便于散热器的安装以实现高效的热传导。该器件结温(TJ)工作范围宽广,从-55°C延伸至175°C,确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

基于其650V/60A的额定参数、低损耗特性以及坚固的TO-247封装,AOK60B65H1非常适用于要求高功率密度和高可靠性的应用场景。典型应用包括工业电机驱动、不同断电源(UPS)、光伏逆变器、电焊机以及各类开关模式电源(SMPS)的功率转换级。在这些应用中,它能够有效提升系统能效,减少散热需求,并增强系统在过载及恶劣工况下的鲁棒性。

  • 制造商产品型号:AOK60B65H1
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IGBT 650V 60A TO-247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:Alpha IGBT
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):120A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):180A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,60A
  • 功率-最大值:500W
  • 开关能量:2.42mJ(开),1.17mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:90nC
  • 25°C时Td(开/关)值:39ns/153ns
  • 测试条件:400V,60A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):288ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOK60B65H1现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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