AOD3N50_004技术参数

AOD3N50_004是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。该器件设计用于在高压开关应用中提供可靠的性能，其核心架构优化了导通电阻、栅极电荷和开关速度之间的平衡，旨在实现高效率的功率转换。

该器件具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够承受较高的电压应力，适用于离线式电源拓扑。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值为2.8A，结合仅3欧姆（在1.5A，10V Vgs条件下）的最大导通电阻，有效降低了导通损耗，提升了系统整体效率。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或控制器输出的良好兼容性，同时有助于防止误触发。

在动态特性方面，AOD3N50_004表现出色。其最大栅极电荷（Qg）在10V Vgs下仅为8nC，输入电容（Ciss）在25V Vds下最大为331pF，这些低电荷和电容参数共同作用，显著降低了开关过程中的驱动损耗，并允许更高的开关频率，从而有助于减小外围磁性元件的尺寸。器件在壳温条件下的最大功率耗散为57W，工作结温范围宽达-50°C至150°C，提供了稳健的热性能。对于需要技术支持或批量采购的客户，可以联系AOS中国代理获取详细信息。

凭借其高压能力和良好的开关特性，该MOSFET非常适合应用于AC-DC开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及各种离线式转换器中。其TO-252封装提供了良好的散热能力，便于在紧凑的PCB布局中进行表面贴装焊接，是工程师在设计和升级高压、中等功率密度电源解决方案时的一个可靠选择。

• 制造商产品型号：AOD3N50_004
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：331pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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