AON7466技术参数

AON7466是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装型封装中。该器件设计用于在30V的漏源电压（Vdss）下工作，其电流处理能力在环境温度（Ta）下可达15A，而在管壳温度（Tc）下更能支持高达30A的连续漏极电流，这得益于其优化的热设计和封装工艺，确保了在高功率密度应用中的可靠运行。

该芯片的核心优势在于其极低的导通损耗。在10V栅极驱动电压下，当漏极电流为20A时，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至7.5毫欧，这一特性对于提升系统效率、减少热量产生至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着开关速度快，开关损耗低，特别适合高频开关应用。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V @ 250A，并与4.5V至10V的标准驱动电压范围良好兼容，易于被常见的控制器驱动，为设计工程师提供了便利。

在电气参数方面，AON7466的栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了良好的栅极可靠性裕度。其功率耗散能力在环境温度下为3.1W，在管壳温度下则高达25W，结合其宽泛的工作结温范围（-50°C ~ 150°C TJ），使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要稳定供应链和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

凭借其高电流能力、低导通电阻、快速开关特性以及出色的热性能，AON7466非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的领域。其主要应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、负载点（POL）转换器、电机驱动控制以及各类便携式电子设备中的电源管理模块。其小型化的DFN封装也使其成为空间受限的现代高密度电路板的理想选择。

• 型号:AON7466
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A/30A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1150 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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