AO4828L技术参数

AO4828L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用8引脚SOIC封装的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术，旨在提供高效的功率开关解决方案。其架构优化了单元密度与导通电阻之间的平衡，使得在紧凑的封装内实现较低的功率损耗成为可能。每个MOSFET通道均设计为逻辑电平驱动，降低了栅极驱动电路的设计复杂度，便于与微控制器或低压逻辑电路直接接口。

该器件的一个显著特点是其低导通电阻，在10V栅源电压和4.5A漏极电流条件下，典型值仅为56毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其逻辑电平门极驱动特性（Vgs(th)最大值为3V）使其能够轻松被3.3V或5V的现代数字信号控制，简化了驱动级设计。较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于实现快速的开关速度，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。

在电气参数方面，AO4828L的漏源击穿电压（Vdss）为60V，适用于常见的12V、24V或48V总线系统。其封装为标准的8-SOIC，宽度为3.90mm，采用表面贴装技术（SMT），便于自动化生产并节省电路板空间。虽然该器件已处于停产状态，但在其生命周期内，其性能参数组合包括60V耐压、4.5A电流能力、低Rds(on)和逻辑电平兼容性构成了其核心价值。对于需要此类特定规格的存量设计或替代方案评估，用户可通过官方AOS授权代理渠道获取相关技术支持和库存信息。

基于其双通道、逻辑电平驱动和中等功率处理能力，该器件典型应用于需要紧凑布局和高效开关的领域。例如，在DC-DC转换器的同步整流侧、电机驱动H桥电路的低边开关、电池保护电路中的负载开关，以及各类电源管理模块中，其双N沟道结构为设计提供了灵活性和集成度。其表面贴装封装也使其非常适合空间受限的消费电子、工业控制板和便携式设备。

• 型号:AO4828L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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