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AOL1426技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:UltraSO-8
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 10A/46A ULTRASO8
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AOL1426技术参数详情说明:

AOL1426是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件采用先进的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)工艺制造,其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其30V的漏源电压(Vdss)额定值使其适用于多种低压功率转换与开关应用,而N沟道设计则提供了高效的电子流控制能力,是现代同步整流和负载开关拓扑中的常见选择。

该器件在电气性能上表现出显著优势。其导通电阻(Rds(On))在10V栅极驱动电压(Vgs)和20A漏极电流(Id)条件下,最大值仅为10.5毫欧,这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时,其栅极电荷(Qg)最大值仅为28nC @ 10V,结合适中的输入电容(Ciss),确保了快速的开关瞬态响应,有助于降低开关损耗并提升高频应用下的工作性能。其驱动电压范围(4.5V至10V)兼容标准的逻辑电平与模拟驱动,增强了设计的灵活性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方指定的AOS一级代理获取产品与技术支援。

在接口与参数方面,AOL1426提供了宽泛的工作适应性。其连续漏极电流在环境温度(Ta)25°C下为10A,而在管壳温度(Tc)条件下可达46A,展现了出色的电流处理能力。器件采用表面贴装型的UltraSO-8封装,该封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积。其最大功率耗散在管壳温度(Tc)条件下为43W,结合-55°C至175°C的宽结温(TJ)工作范围,使其能够在苛刻的环境下稳定运行,满足工业级产品的可靠性要求。

基于其技术特性,AOL1426非常适合应用于对效率和空间有较高要求的场景。其主要应用领域包括但不限于:服务器、通信设备的DC-DC同步整流和负载点(POL)转换器、笔记本电脑的电源管理模块、电动工具的马达驱动控制电路,以及各类便携式电子设备中的电池保护与功率开关。其快速开关和低损耗的特性,使其成为提升系统整体能效和功率密度的关键元件之一。

  • 制造商产品型号:AOL1426
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 10A/46A ULTRASO8
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta),46A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):28nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1452pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2W(Ta),43W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:UltraSO-8
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOL1426现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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