AOL1428技术参数

AOL1428是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造，封装于紧凑的UltraSO-8表面贴装型封装内。该器件设计用于在30V的漏源电压（Vdss）下工作，其核心优势在于极低的导通电阻与出色的电流处理能力。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）额定值为12.4A，而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达49A，这得益于其优化的热设计和封装技术，使其在有限空间内也能实现高效的功率传输与散热。

该MOSFET的驱动特性经过精心优化，在10V栅源电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为9.5毫欧（在20A条件下测得），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V（在250A条件下），结合最大±20V的Vgs耐受范围，提供了良好的噪声容限和驱动兼容性。此外，其栅极电荷（Qg）在10V下最大值仅为18nC，输入电容（Ciss）在15V下最大值为1000pF，这些低栅极电荷和电容特性共同实现了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，AOL1428支持宽泛的4.5V至10V驱动电压范围，以实现最小导通电阻，方便与多种控制器直接接口。其工作结温（TJ）范围极宽，从-55°C延伸至175°C，确保了其在苛刻环境下的可靠性。最大功率耗散在Tc条件下可达43W，展现了其强大的热性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取相关技术支持和供货信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的高性能标准在相关领域仍具有参考价值。

基于其高电流能力、超低导通电阻和快速开关特性，AOL1428非常适用于空间受限且对效率要求严苛的DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等应用场景。在同步整流、服务器电源或便携式设备的电源管理模块中，它能有效提升功率密度和整体能效，是工程师在构建高效功率解决方案时曾重点考虑过的器件选项之一。

• 制造商产品型号：AOL1428
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 12.4A ULTRASO8
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12.4A（Ta），49A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.2W（Ta），43W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：UltraSO-8
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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