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AOL1454G技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:UltraSO-8
  • 技术参数:MOSFET N-CH 40V 25A/46A ULTRASO8
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AOL1454G技术参数详情说明:

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOL1454G 是一款采用先进 AlphaSGT 技术平台的 N 沟道功率 MOSFET。该器件在紧凑的 UltraSO-8 封装内实现了卓越的功率密度与效率平衡,其核心设计优化了单元结构和沟槽工艺,显著降低了导通电阻和栅极电荷,从而在开关应用中减少了传导损耗和开关损耗,提升了整体系统能效。

该 MOSFET 具备多项突出的电气特性。其漏源电压 (Vdss) 额定值为 40V,适用于常见的 12V 至 24V 中间总线电压系统。在 25°C 环境温度下,连续漏极电流 (Id) 可达 25A,而在管壳温度下更能支持高达 46A 的电流,展现了强大的电流处理能力。其导通电阻 (Rds(on)) 在 10V 驱动电压、20A 电流条件下典型值仅为 5.9 毫欧,确保了极低的功率耗散。同时,最大栅极电荷 (Qg) 低至 30nC,输入电容 (Ciss) 也得到有效控制,这使得驱动电路的设计更为简便,并能实现高速开关,减少开关过程中的能量损失。

在接口与参数方面,AOL1454G 的标准驱动电压范围为 4.5V 至 10V,与主流逻辑电平及标准栅极驱动 IC 完全兼容,其栅源阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2.5V,提供了良好的噪声容限。器件采用表面贴装型 UltraSO-8 封装,不仅节省了宝贵的电路板空间,其优化的封装设计也提升了散热性能,在管壳温度 (Tc) 下最大功率耗散可达 52W。宽广的工作结温范围 (-55°C 至 150°C) 确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。如需获取官方技术支持和正品供应,建议通过 AOS授权代理 进行采购。

凭借其高性能与高可靠性,该器件非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括服务器和通信设备的 DC-DC 同步整流及负载点 (POL) 转换、电动工具和无人机的高效电机驱动控制、以及各类消费电子和工业电源中的高频开关电路。在这些应用中,AOL1454G 能够有效提升系统效率,降低温升,并助力实现更紧凑的终端产品设计。

  • 制造商产品型号:AOL1454G
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 25A/46A ULTRASO8
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:AlphaSGT
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):25A(Ta),46A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.9 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):30nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1480pF @ 20V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):6.2W(Ta),52W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:UltraSO-8
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOL1454G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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