AON6210技术参数

AON6210是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其30V的漏源电压（Vdss）额定值使其成为低压、高电流应用的理想选择，而N沟道技术确保了在标准驱动逻辑下的高效导通。

该MOSFET的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(On)），在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为1.8毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在100nC @ 10V，结合6300pF @ 15V的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的驱动损耗较低，有助于提升高频开关应用的性能并简化栅极驱动电路的设计。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V之间均可实现优异的导通特性，阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，兼容常见的3.3V和5V逻辑电平。

在电气参数方面，AON6210在25°C环境温度（Ta）下可支持28A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达85A，展现了其强大的电流处理能力。其最大功率耗散在Tc条件下为83W，结合-55°C至150°C的宽工作结温（TJ）范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠性与鲁棒性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方AOS授权代理获取相关技术支持和采购信息。

基于其高性能参数组合，AON6210非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器中的负载开关、电机驱动控制电路以及各类便携式电子设备中的电源管理模块。其紧凑的DFN封装尤其适合空间受限的现代高密度PCB设计，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标仍为同类低压大电流MOSFET提供了重要参考。

• 制造商产品型号：AON6210
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 28A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6300pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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