AON6210技术参数

AON6210是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其30V的漏源电压（Vdss）额定值使其成为低压、高电流应用的理想选择，而N沟道技术确保了在标准驱动逻辑下的高效导通。

该MOSFET的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(On)），在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为1.8毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在100nC @ 10V，结合6300pF @ 15V的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的驱动损耗较低，有助于提升高频开关应用的性能并简化栅极驱动电路的设计。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V之间均可实现优异的导通特性，阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，兼容常见的3.3V和5V逻辑电平。

在电气参数方面，AON6210在25°C环境温度（Ta）下可支持28A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达85A，展现了其强大的电流处理能力。其最大功率耗散在Tc条件下为83W，结合-55°C至150°C的宽工作结温（TJ）范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠性与鲁棒性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方AOS授权代理获取相关技术支持和采购信息。

基于其高性能参数组合，AON6210非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器中的负载开关、电机驱动控制电路以及各类便携式电子设备中的电源管理模块。其紧凑的DFN封装尤其适合空间受限的现代高密度PCB设计，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标仍为同类低压大电流MOSFET提供了重要参考。

• 型号:AON6210
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 28A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6300 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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