AON6282技术参数

AON6282 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的平面工艺技术制造，封装于紧凑的 8-DFN（5x6）表面贴装型封装内。该器件专为高效率、高功率密度应用而设计，其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在80V 的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通损耗和出色的开关性能平衡。

在电气特性方面，AON6282 展现出卓越的导通电阻表现，其 Rds(On) 在 Vgs=10V、Id=20A 的条件下典型值仅为 5.6 毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，器件在 25°C 环境温度（Ta）下可支持高达 26.5A 的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，该值更能达到 85A，体现了其强大的电流处理能力和优异的热性能。其栅极驱动设计兼容常规逻辑电平，栅源电压（Vgs）最大额定值为 ±20V，而栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为 3.5V，确保了与主流控制器良好的兼容性和驱动的简易性。

为了优化开关性能并降低开关损耗，AON6282 在栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）方面也进行了精心设计。在 Vgs=10V 时，其最大栅极电荷为 51nC，配合 2848pF @ 40V 的最大输入电容，有助于实现快速、干净的开关转换，减少开关过程中的电压电流重叠损耗。其最大功率耗散在管壳温度（Tc）条件下可达 83W，结合 -55°C 至 150°C 的宽结温（TJ）工作范围，使其能够在苛刻的热环境中稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗和获得专业服务的重要途径。

基于上述技术参数，AON6282 非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。其典型应用领域包括但不限于：工业电源中的同步整流和 OR-ing 电路、通信基础设施的 DC-DC 转换器、电机驱动与控制系统中的逆变器模块，以及各类需要高效功率开关的消费类和汽车电子辅助系统。其紧凑的 DFN 封装也使其成为空间受限的现代高密度电源设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6282
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 26.5A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：26.5A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：51nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2848pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.4W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6282现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。