AOZ5117QI-01技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：功率驱动器模块，类型：MOSFET
技术参数：25V/60A DRMOS SMOD EN CONTROL QF
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AOZ5117QI-01技术参数详情说明：

AOZ5117QI-01是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计制造的高集成度、高性能单相功率驱动器模块（DRMOS）。该器件采用先进的SMOD（Smart Module）封装技术，将高性能的功率MOSFET与优化的栅极驱动器、自举二极管以及关键的保护与控制逻辑电路集成于一个紧凑的QFN封装内。这种高度集成的架构不仅显著减少了外围元件数量，节省了宝贵的PCB空间，更重要的是通过优化内部布局和热设计，实现了极低的寄生电感和电阻，为高效率、高功率密度的电源转换方案奠定了物理基础。

该模块的核心功能是作为一个完整的单相降压转换器功率级。其内部集成了上管和下管功率MOSFET，额定电流高达60A，能够承受25V的输入电压，非常适合现代计算平台（如CPU、GPU、ASIC）的核心电压（Vcore）供电需求。其内置的栅极驱动器经过专门调校，可提供快速、干净的开关动作，有效降低开关损耗，同时通过死区时间控制防止上下管直通。模块支持EN CONTROL功能，即通过一个使能引脚实现对功率级的逻辑控制，便于系统的电源时序管理。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取完整的供应链服务与设计资源。

在电气接口与参数方面，AOZ5117QI-01采用表面贴装型封装，便于自动化生产。其单相配置简化了设计，用户只需提供PWM控制信号、输入电容、输出电感和必要的反馈网络，即可构建一个完整的同步降压转换器。模块的高电流处理能力和优化的热性能使其能够在紧凑的空间内处理可观的功率。其设计充分考虑了可靠性，内部集成了欠压锁定（UVLO）、过温保护等关键功能，增强了系统在异常条件下的鲁棒性。

该器件的典型应用场景聚焦于对功率密度、效率和动态响应有严苛要求的领域。它主要面向服务器、数据中心设备、高端工作站、网络通信设备以及高端显卡中的多相CPU/GPU/FPGA核心电源系统。在这些应用中，多个AOZ5117QI-01模块可以并联使用，构成多相降压转换器，以分摊电流、降低纹波并提升瞬态响应速度。其高集成度和易用性也使其成为空间受限的嵌入式系统、工业控制设备以及需要高效点负载（POL）电源解决方案的理想选择。