AON6406技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON6406 是一款采用先进沟槽技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）封装，实现了功率密度与散热能力的平衡，其底部裸露的散热焊盘（EP）有效提升了热传导效率，这对于高功率应用中的热管理至关重要。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻（R_DS(on)），在10V栅极驱动电压（V_GS）和20A漏极电流条件下，其典型值仅为2.3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在100nC @ 10V，结合适中的输入电容（C_iss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，从而允许使用更小的外围磁性元件。

在电气规格方面，AON6406 的漏源击穿电压（V_DSS）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其连续漏极电流能力在环境温度（T_a）下为25A，而在管壳温度（T_c）下可高达170A，展现了强大的峰值电流处理能力。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.4V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或专用驱动器直接驱动。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的抗噪声干扰能力。其宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了在严苛环境下的可靠运行。如需获取官方技术支持和正品货源，建议通过AOS授权代理进行采购。

凭借上述特性，AON6406 非常适合作为同步整流器或主开关管，广泛应用于服务器和通信设备的DC-DC电源模块、高效率的负载点（POL）转换器、电机驱动控制以及各类电池保护和管理电路中。其表面贴装型封装符合现代自动化生产要求，有助于实现高可靠性的PCB组装。

• 型号:AON6406
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A/170A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），170A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6406现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。