AON6406技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN-EP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 25A/170A 8DFN
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AON6406技术参数详情说明：
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON6406 是一款采用先进沟槽技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）封装，实现了功率密度与散热能力的平衡，其底部裸露的散热焊盘（EP）有效提升了热传导效率，这对于高功率应用中的热管理至关重要。
该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），在10V栅极驱动电压（VGS）和20A漏极电流条件下，其典型值仅为2.3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在100nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，从而允许使用更小的外围磁性元件。
在电气规格方面，AON6406 的漏源击穿电压（VDSS）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其连续漏极电流能力在环境温度（Ta）下为25A，而在管壳温度（Tc）下可高达170A，展现了强大的峰值电流处理能力。其栅极阈值电压（VGS(th)）最大值为2.4V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或专用驱动器直接驱动。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的抗噪声干扰能力。其宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了在严苛环境下的可靠运行。如需获取官方技术支持和正品货源，建议通过AOS授权代理进行采购。
凭借上述特性，AON6406 非常适合作为同步整流器或主开关管，广泛应用于服务器和通信设备的DC-DC电源模块、高效率的负载点（POL）转换器、电机驱动控制以及各类电池保护和管理电路中。其表面贴装型封装符合现代自动化生产要求，有助于实现高可靠性的PCB组装。
- 制造商产品型号：AON6406
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 25A/170A 8DFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Ta），170A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 20A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），110W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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