AOT480L技术参数

AOT480L是一款隶属于AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）公司SDMOS产品系列的N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220通孔封装。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其架构优化了单元密度与导通电阻（Rds(On)）的关系，使得在紧凑的芯片面积内能够处理显著的电流，同时保持良好的开关特性。这种设计对于降低导通损耗、提升系统整体能效至关重要，是许多功率转换和电机控制应用的基础。

该器件的关键电气特性使其在同类产品中具备竞争力。其漏源击穿电压（Vdss）为80V，为48V及以下总线电压系统提供了充足的安全裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为15A，而在壳温（Tc）条件下，该值可高达180A，展现了其强大的峰值电流处理能力和散热潜力。其导通电阻在10V驱动电压（Vgs）、20A测试电流下典型值仅为4.5毫欧，这一低Rds(On)特性直接转化为更低的导通损耗和发热。栅极驱动方面，其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4V，最大栅极电荷（Qg）为140nC @ 10V，这有助于简化驱动电路设计并控制开关损耗。其最大允许栅源电压（Vgs）为±25V，提供了较宽的驱动安全范围。功率耗散能力在壳温条件下可达333W，结合TO-220封装良好的机械与散热特性，使其能够应对严苛的功率环境。如需获取样品或批量采购，可以联系官方授权的AOS代理商。

在接口与参数层面，AOT480L提供了明确的电气边界。其输入电容（Ciss）在40V漏源电压下最大值为7820pF，这是评估开关速度与驱动需求的重要参数。器件的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了其在工业级宽温环境下的可靠性。TO-220封装是业界广泛使用的标准封装，便于安装散热器，并兼容自动化焊接与手工焊接流程。这些参数共同定义了一个坚固、高效且易于集成的功率开关解决方案。

基于其80V的耐压、高电流能力和低导通电阻，AOT480L非常适用于需要高效功率开关和控制的领域。典型应用包括但不限于开关模式电源（SMPS）中的初级侧或同步整流、DC-DC转换器、电机驱动与调速电路（如电动工具、风扇控制器）、不间断电源（UPS）以及各类工业控制系统的功率级。其设计平衡了性能、可靠性与成本，是工程师在构建中等功率等级电力电子系统时的一个可靠选择。

• 型号:AOT480L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 15A/180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7820 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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