AOT4S60L技术参数

AOT4S60L是一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率半导体器件，隶属于AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的aMOS产品系列。该器件采用经典的TO-220封装，提供通孔安装方式，具备出色的功率处理能力和热性能。其核心设计旨在实现高压开关应用中的高效率与高可靠性，通过优化的单元结构和先进的沟槽工艺，在保持较低导通电阻的同时，有效控制了器件的寄生电容。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达600V，使其能够从容应对工业电源、电机驱动及照明系统中常见的AC-DC整流或高压母线环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A，结合最大仅900毫欧的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为Vgs=10V， Id=2A），意味着在导通状态下能显著降低传导损耗，提升整体能效。其栅极驱动特性经过精心调校，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.1V，栅极电荷（Qg）典型值低至6nC（Vgs=10V），这有助于降低开关损耗、简化驱动电路设计并提高开关频率，从而支持更紧凑的电源拓扑。

在接口与参数方面，AOT4S60L的栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，为驱动电路提供了充裕的安全裕量。其输入电容（Ciss）在Vds=100V时最大为263pF，较低的电容值有助于实现更快的开关速度。器件的最大功率耗散能力为83W（Tc），宽广的结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过AOS一级代理可以获得原厂正品保障与全面的应用支持。

凭借其高压、低损耗和坚固的封装特性，该器件非常适合应用于开关模式电源（SMPS）的PFC电路、反激/正激变换器中的主开关、无刷直流（BLDC）电机驱动、H桥逆变器以及电子镇流器和LED照明驱动。其平衡的性能参数使其成为中功率离线式电源和工业控制系统中追求效率与成本效益的工程师的优选解决方案。

• 制造商产品型号：AOT4S60L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：263pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT4S60L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。