AON7428技术参数

AON7428是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）表面贴装封装，专为高功率密度和高效率应用而优化，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。

该器件具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，在25°C环境温度（Ta）下可提供高达34A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，其连续电流能力更可达到50A。其最显著的优势在于极低的导通电阻（Rds(On)），在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为2.8毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在10V Vgs下为60nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速开关并降低开关损耗，特别适合高频开关应用。

在驱动特性方面，AON7428具有宽泛的栅极驱动电压范围，最大可承受±20V的Vgs，而其阈值电压（Vgs(th)）最大值在250A漏极电流下为2.3V，确保了与标准逻辑电平或模拟驱动电路的兼容性。其优化的驱动电压要求（4.5V至10V）使其易于被现代控制器驱动。器件的功率处理能力出色，在环境温度下最大功耗为6.2W（Ta），而在管壳温度下可达83W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取该产品。

凭借其高电流能力、超低导通电阻和快速开关特性，AON7428非常适合应用于对效率和空间有严格要求的现代电源管理系统。典型应用场景包括服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器中的负载开关、电机驱动控制电路以及各类便携式电子设备的电源管理单元。其紧凑的DFN封装也为空间受限的设计提供了理想的解决方案。

• 制造商产品型号：AON7428
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 34A/50A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：34A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3120pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7428现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。