AON7516技术参数

AON7516是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为高功率密度和高效热管理的应用场景而优化。其核心架构基于平面栅极设计，通过精密的半导体工艺实现了优异的导通电阻与栅极电荷平衡，从而在开关电源和电机控制等高频开关应用中能显著降低导通损耗和开关损耗。

在电气特性方面，该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。其导通电阻（Rds(On)）表现突出，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为4.5毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在33nC @ 10V，结合2.2V @ 250A的阈值电压（Vgs(th)），确保了快速开关能力和对驱动电路的友好性，有助于简化栅极驱动设计并提升系统效率。

该MOSFET的电流处理能力根据散热条件有所不同，在环境温度（Ta）下连续漏极电流为20A，而在管壳温度（Tc）下则可高达30A，其最大功率耗散能力相应为3.1W（Ta）和25W（Tc）。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C TJ）使其能够适应苛刻的环境。对于需要可靠供应链和全面技术支持的项目，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗和获取完整技术资料的有效途径。

综合其参数，AON7516非常适合应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及各类负载开关等场景。其低导通电阻和高电流能力使其成为同步整流和功率路径管理的理想选择，而紧凑的DFN封装则满足了现代电子设备对空间布局的严苛要求，有助于实现终端产品的小型化和高性能化。

• 型号:AON7516
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1229 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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