AON6702技术参数

AON6702是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进SRFET技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在显著降低导通电阻和栅极电荷，从而在开关电源转换和电机控制等应用中实现更低的传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的漏源电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其导通电阻表现突出，在10V驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为2毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）在10V时最大值为123nC，较低的Qg值有助于降低栅极驱动损耗，提升高频开关性能。器件集成了肖特基体二极管，这为感性负载开关提供了快速的反向恢复路径，有助于减少电压尖峰和提高系统可靠性。

在电气参数方面，AON6702提供了灵活的驱动选项，其完全开启的栅源电压（Vgs）范围在4.5V至10V之间，阈值电压（Vgs(th)）最大为2.4V，兼容标准逻辑电平及更宽范围的驱动电路。其连续漏极电流能力根据散热条件不同而有所区别，在壳温（Tc）条件下可达85A，在环境温度（Ta）下为26A，最大功耗在壳温条件下高达83W，这要求在实际应用中通过良好的PCB布局或散热器来管理热性能。其工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力，该器件非常适合用于同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）、电机驱动、电池保护电路以及各类电源管理模块。对于需要高可靠性元器件供应的项目，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的技术支持与供应链服务。需要注意的是，此产品系列目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品或咨询制造商以获取最新产品信息。

• 制造商产品型号：AON6702
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 26A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：123nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7080pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6702现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。