AOB190A60CL技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS5产品系列的重要成员，AOB190A60CL是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计和制造工艺，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。该器件采用TO-263（D2Pak）表面贴装封装，为高功率密度应用提供了可靠的物理基础，同时确保了良好的热管理性能。

该芯片在电气性能上表现突出，其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，使其能够从容应对工业级AC-DC变换、电机驱动等场合中的高压应力。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为190毫欧（测量条件为7.6A），这一低阻值直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。配合高达20A的连续漏极电流（Tc条件下）以及208W（Tc）的最大功率耗散能力，它能够处理可观的功率等级。其栅极电荷（Qg）最大值控制在34nC（@10V），有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数层面，AOB190A60CL的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.6V，具备一定的噪声免疫能力，而栅源电压（Vgs）最大允许范围为±30V，提供了宽裕的安全裕度。其输入电容（Ciss）特性也经过优化。该器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取该产品及相关服务。

基于其高性能指标，AOB190A60CL非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不同断电源（UPS）以及太阳能逆变器的功率转换级。其TO-263封装兼容常见的PCB组装工艺，便于在空间受限的设计中实现高功率输出。

• 型号:AOB190A60CL
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 7.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1935 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB190A60CL现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。