AONP38324技术参数

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• 型号:AONP38324
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 29A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Ta），134A（Tc），29A（Ta），110A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 20A，10V，2.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A，1.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1940pF @ 15V，1890pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.2W（Ta），69W（Tc），3.2W（Ta），46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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