AONS66920技术参数

AONS66920是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计制造的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT（Alpha Shielded Gate Trench）技术平台。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）封装，实现了表面贴装，为高功率密度应用提供了优秀的解决方案。其核心架构通过优化的沟槽屏蔽栅设计，在降低栅极电荷（Qg）和导通电阻（Rds(on)）之间取得了卓越的平衡，从而显著提升了开关效率和功率处理能力。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为17.5A，而在管壳温度下可达48A，展现出强大的电流承载能力。其关键性能指标包括极低的导通电阻，典型值在10V Vgs、20A Id条件下仅为8.2毫欧，这直接降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在50nC @ 10V，结合2.5V @ 250A的阈值电压（Vgs(th)），确保了快速开关特性和高效的驱动，有助于减少开关损耗并简化栅极驱动电路设计。

在接口与参数方面，器件支持高达±20V的栅源电压，增强了驱动灵活性。其输入电容（Ciss）在50V Vds下最大值为2500pF。功率耗散能力在环境温度下为5W，在管壳温度下高达56.5W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，保证了其在苛刻环境下的可靠性与稳定性。对于需要可靠供应链和全面技术支持的设计项目，通过官方AOS总代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的重要途径。

凭借其高电压、大电流、低损耗和快速开关的特性，AONS66920非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括工业电源、电机驱动、通信基础设施的DC-DC转换器、电动工具以及新能源领域如光伏逆变器和车载充电机中的同步整流、开关和负载开关电路。其优异的性能组合使其成为工程师在提升系统能效和功率密度时的理想选择。

• 型号:AONS66920
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 17.5A/48A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Ta），48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），56.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AONS66920现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。