

AOT288L技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220
- 技术参数:MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO220
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AOT288L技术参数详情说明:
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOT288L 是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件,其设计旨在为高效率、高功率密度应用提供卓越的开关性能与热管理能力。该器件采用经典的TO-220封装,结合了坚固的通孔安装方式,确保了在严苛环境下的机械可靠性和出色的散热路径。
该芯片的核心优势在于其优化的导通电阻与栅极电荷乘积(Rds(on)*Qg),这一关键指标直接决定了开关损耗的高低。在Vgs=10V,Id=20A的条件下,其导通电阻最大值仅为9.2毫欧,显著降低了导通状态下的功率损耗。同时,在10V驱动电压下,其栅极总电荷(Qg)典型值较低,仅为38nC,这使得它在高频开关应用中能够实现快速的开启与关断,有效降低开关损耗,提升系统整体效率。其漏源击穿电压(Vdss)高达80V,为48V总线系统及类似应用提供了充足的设计裕量。
在电气参数方面,AOT288L 提供了宽泛的工作条件。其连续漏极电流在环境温度(Ta)下为10.5A,而在借助散热器将管壳温度(Tc)控制在25°C时,可高达46A,展现了强大的电流处理潜力。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3.4V,与标准逻辑电平驱动兼容性良好。器件支持高达±20V的栅源电压,增强了抗栅极噪声干扰的能力。其宽结温工作范围(-55°C至175°C)以及高达93.5W(Tc)的功率耗散能力,使其能够适应从工业到汽车领域的各种温度环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品及相关设计资源。
凭借上述特性,AOT288L 非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、不间断电源(UPS)系统以及各类工业电源中的功率开关部分。其优异的性能使其成为工程师在设计和升级中高功率开关电源、电机控制器和功率分配系统时的理想选择。
- 制造商产品型号:AOT288L
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO220
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):80V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):10.5A(Ta),46A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9.2 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):38nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1871pF @ 40V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),93.5W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:TO-220
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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