

AOT298L技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO220
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AOT298L技术参数详情说明:
AOT298L 是一款由 AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)设计生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用成熟的平面硅工艺制造,封装于标准的 TO-220 通孔封装中,为工程师在高压开关应用中提供了一个高性价比的解决方案。其核心架构基于垂直导电的 DMOS 结构,这种设计优化了电流在芯片内部的流通路径,有效降低了导通电阻,同时确保了在高漏源电压下的可靠阻断能力。
该器件具备出色的电气特性。其100V 的漏源击穿电压(Vdss)使其能够从容应对诸如 48V 或 72V 总线系统的应用环境。在导通性能方面,在 10V 栅极驱动电压下,其导通电阻(Rds(on))典型值低至 14.5 毫欧(@20A),这意味着在传导大电流时产生的功耗极低,有助于提升系统整体效率并简化散热设计。其栅极电荷(Qg)最大值仅为 27nC,结合适中的输入电容(Ciss),使得开关过程迅速且所需的驱动功率较小,有利于实现高频开关操作并降低对驱动电路的要求。
在接口与参数层面,AOT298L 提供了宽泛的工作条件适应性。其连续漏极电流在环境温度(Ta)25°C 下为 9A,而在管壳温度(Tc)条件下可达 58A,这突显了其强大的电流处理能力和对有效散热的依赖性。器件支持高达 ±20V 的栅源电压,为驱动电路设计提供了充足的裕量。其结温(TJ)工作范围覆盖 -55°C 至 175°C,确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目,可以通过官方授权的 AOS总代理 获取原厂正品和技术支持。
凭借其平衡的性能参数,AOT298L 非常适合应用于多种中高功率场景。在开关电源(SMPS)中,它常被用作初级侧的主开关管或次级侧的同步整流管,特别是在通信电源和工业电源模块中。在电机控制领域,如电动工具、风扇和泵类的驱动电路中,其快速的开关速度和稳健的耐压能力是理想选择。此外,在 DC-DC 转换器、电池保护电路以及各类需要高效功率切换的工业控制设备中,AOT298L 都能发挥其价值,尽管该型号目前已处于停产状态,但其设计理念和性能指标仍为后续替代型号提供了重要参考。
- 制造商产品型号:AOT298L
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO220
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Ta),58A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14.5 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):27nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1670pF @ 50V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),100W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:TO-220
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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