AOT460_002技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率器件，AOT460_002是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用标准的TO-220封装，提供了优异的通流能力和散热性能，其结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定工作。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，能够承受较高的反向电压，适用于多种中压应用场景。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至7.5毫欧（在30A条件下），这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达85A，展现出强大的电流处理能力。栅极电荷（Qg）最大值仅为88nC，有助于降低开关损耗，提升高频开关应用的性能。

在接口与关键参数方面，AOT460_002的栅极驱动电压（Vgs）范围为±20V，标准驱动电压为10V，提供了良好的噪声容限。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了可靠的关断状态。输入电容（Ciss）为4560pF，设计时需考虑其对驱动电路的要求。该器件的最大功率耗散为268W（Tc），结合TO-220封装，为用户提供了便利的通孔安装方式和高效的散热路径。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

基于其技术参数，AOT460_002非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的领域。典型的应用场景包括开关电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关、电机驱动与控制电路、DC-DC转换器以及各类需要高效功率切换的工业设备。其高电流能力和低导通电阻的特性，使其成为提升系统整体能效和可靠性的关键组件之一。

• 制造商产品型号：AOT460_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 85A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：88nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4560pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：268W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT460_002现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。