AOT8N80L_001技术参数

AOT8N80L_001是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220-3通孔封装。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心在于实现了800V的高压阻断能力与较低的导通电阻之间的良好平衡。其内部架构优化了单元密度与电荷控制，确保了在高压开关应用中具备稳定的性能与可靠性，尽管该型号目前已处于停产状态，但其设计理念与参数特性在同类产品中仍具参考价值。

在电气特性方面，该MOSFET在壳温（Tc）条件下可支持高达7.4A的连续漏极电流，最大功率耗散为245W。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、4A测试电流下典型值为1.63欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。栅极驱动特性显示，其阈值电压Vgs(th)最大为4.5V，属于标准逻辑电平驱动范畴，而最大栅极电荷（Qg）仅为32nC，结合1650pF的输入电容，意味着其开关过程所需的驱动能量较低，有利于简化驱动电路设计并减少开关损耗。

该器件提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），确保了其在苛刻环境下的适应性。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，为驱动电路提供了较高的噪声容限。对于需要获取该器件库存或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理进行咨询。其标准的TO-220封装形式兼容广泛的应用板卡与散热方案，便于系统集成。

基于其800V的漏源击穿电压和数安培级的电流处理能力，AOT8N80L_001非常适用于需要高压开关与功率转换的场合。典型的应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及电机驱动中的辅助电源部分。在这些应用中，其高压特性能够有效应对电网电压波动和感性负载带来的电压应力，而其平衡的开关与导通特性有助于实现高效的能源转换。

• 制造商产品型号：AOT8N80L_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.63 欧姆 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1650pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：245W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT8N80L_001现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。