AON6413技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN（5x6）
- 技术参数：MOSFET P-CH 30V 22A/32A 8DFN
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AON6413技术参数详情说明：
AON6413是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装型封装中。该器件设计用于在30V的漏源电压（Vdss）下工作，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(On)）与出色的开关特性，在10V驱动电压（Vgs）下，当漏极电流（Id）为16A时，其最大导通电阻仅为8.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。
该MOSFET的功能特性围绕其高电流处理能力与优异的散热性能展开。在环境温度（Ta）25°C下，其连续漏极电流（Id）额定值为22A；而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达32A，展现了其强大的功率承载潜力。配合最大48W（Tc）的功率耗散能力，使其能够在高功率密度应用中稳定运行。其栅极驱动设计兼容性强，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.7V，标准逻辑电平即可有效驱动，同时栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值仅为58nC，这有助于降低开关损耗并提升高频开关性能，对于需要快速切换的应用至关重要。
在电气参数方面，AON6413的输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为2142pF，结合其低Qg特性，共同优化了驱动电路的效率。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全余量。其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了其在严苛环境下的可靠性。对于采购与技术支持，工程师可通过官方授权的AOS总代理获取详细的产品资料与支持。
基于上述技术规格，该器件非常适合应用于需要高效率电源管理的场景，例如在同步整流、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器的功率路径控制中作为高端开关。其紧凑的DFN封装与优异的电气性能组合，使其成为空间受限且对热管理和效率有高要求的便携式设备、计算主板和通信基础设施等应用的理想选择。
- 制造商产品型号：AON6413
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 22A/32A 8DFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：22A（Ta），32A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.5 毫欧 @ 16A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：58nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2142pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），48W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-DFN（5x6）
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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