

AOTF10B60D技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3 整包
- 技术参数:IGBT 600V 20A 42W TO220F
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AOTF10B60D技术参数详情说明:
AOTF10B60D是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的Alpha IGBT系列中的一款高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件采用先进的沟槽场截止技术,在单芯片上集成了快速恢复二极管,构成了一个高度集成的功率开关解决方案。其核心架构优化了载流子注入效率与漂移区电场分布,从而在降低饱和压降的同时,有效控制了关断损耗与拖尾电流,实现了导通损耗与开关损耗之间的出色平衡。
该器件具备多项突出的电气特性。其集电极-发射极击穿电压高达600V,能够可靠地工作在工业级三相交流输入整流后的直流母线电压环境下。在15V栅极驱动电压、10A集电极电流的典型工作条件下,其饱和压降Vce(on)典型值仅为1.8V,这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。同时,其开关性能优异,开启延迟时间仅为10ns,关断延迟时间为72ns,总开关能量(Eon+Eoff)为330J,结合105ns的反向恢复时间,使其非常适合高频开关应用,有助于减小磁性元件的体积和成本。
在封装与接口方面,AOTF10B60D采用标准的TO-220F(TO-220-3 Full-Pak)通孔封装。这种封装提供了良好的机械强度和散热能力,其绝缘封装设计也简化了系统安装时的绝缘处理。器件的最大连续集电极电流为20A,脉冲电流能力可达40A,最大功耗为42W,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。其标准输入特性(阈值电压典型值约为4V)使其与市面上大多数通用栅极驱动器兼容,便于设计。对于需要批量采购和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS中国代理获取完整的供应链服务与本地化技术支持。
基于其600V/20A的额定参数与优异的开关特性,AOTF10B60D非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业电机驱动、变频器、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电焊机等功率转换设备。在这些应用中,它能够作为核心的功率开关元件,有效提升整机效率,并凭借其稳健的性能保障系统的长期可靠运行。
- 制造商产品型号:AOTF10B60D
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:IGBT 600V 20A 42W TO220F
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:Alpha IGBT
- 零件状态:有源
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):20A
- 电流-集电极脉冲(Icm):40A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,10A
- 功率-最大值:42W
- 开关能量:260J(开),70J(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:17.4nC
- 25°C时Td(开/关)值:10ns/72ns
- 测试条件:400V,10A,30 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):105ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-220-3 整包
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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