AOTF11C60技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220-3F
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
- 专注销售AOS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
- 您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购
AOTF11C60技术参数详情说明：
AOTF11C60 是一款由 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面硅工艺制造。该器件采用 TO-220-3F 通孔封装，其核心设计旨在为高压开关应用提供坚固可靠的性能。其架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，这对于提高开关效率和降低导通损耗至关重要。
该器件具备多项关键电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达 600V，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在壳温（Tc）为 25°C 时，其连续漏极电流（Id）额定值为 11A，提供了可观的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下表现出色，在 Vgs=10V、Id=5.5A 时最大值为 400 毫欧，这直接转化为更低的导通状态功率损耗和更高的系统整体效率。
在动态特性方面，栅极总电荷（Qg）在 Vgs=10V 时最大值为 42nC，结合最大 ±30V 的栅源电压（Vgs）耐受范围，意味着它能够与多种栅极驱动电路兼容，并有助于简化驱动设计，实现快速、干净的开关切换。其输入电容（Ciss）在 Vds=50V 时最大值为 2010pF。器件的最大功率耗散为 50W（Tc），结温工作范围覆盖 -55°C 至 150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理 获取相关技术支持和库存信息。
基于其 600V/11A 的耐压与电流规格、优化的开关特性以及 TO-220-3F 封装的便利性，AOTF11C60 非常适用于要求严苛的功率转换领域。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主开关、工业电机驱动与控制的逆变器桥臂、不同断电源（UPS）以及高频焊接设备等。在这些应用中，它能够作为高效的功率开关元件，帮助系统实现高功率密度和高可靠性。
- 制造商产品型号：AOTF11C60
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：42nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2010pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220-3F
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF11C60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。
