

AOTF15B65M3技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3 整包
- 技术参数:IGBT 650V 15A TO-220F
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AOTF15B65M3技术参数详情说明:
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOTF15B65M3 是一款采用TO-220F封装的高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),隶属于其先进的Alpha IGBT产品系列。该器件集成了优化的沟槽场截止技术,旨在实现高电压、高电流开关应用中的效率与可靠性的平衡。其核心设计通过降低饱和压降(Vce(on))和开关损耗,有效提升了功率转换系统的整体能效,同时坚固的体二极管特性确保了在硬开关条件下的稳定运行。
该IGBT具备一系列突出的电气特性。其集电极-发射极击穿电压高达650V,最大集电极电流(Ic)为30A,脉冲电流(Icm)可达45A,为应对瞬时过载提供了充足的裕量。在典型的15V栅极驱动电压和15A集电极电流条件下,其饱和压降最大值仅为2.5V,这直接转化为更低的导通损耗。开关性能方面,其总开关能量(Eon+Eoff)被优化至较低水平,开通过程和关断过程对应的开关能量分别为280J和190J,配合10ns(典型值)的开启延迟和68ns(典型值)的关断延迟,使其适用于中高频开关场合。此外,标准输入类型和25.4nC的栅极电荷降低了驱动电路的设计复杂度。
在接口与热管理参数上,AOTF15B65M3 采用经典的TO-220F通孔封装,便于安装散热器以实现高效的热传导,其最大功耗为30W。器件结温(TJ)工作范围宽广,从-55°C延伸至150°C,确保了其在严苛环境下的可靠性。反向恢复时间(trr)为263ns,与其快速开关特性相匹配,有助于减少开关噪声和电磁干扰(EMI)。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS代理获取该产品及相关设计资源。
凭借其高耐压、低损耗和稳健的封装,这款IGBT非常适合应用于各类需要高效功率控制的领域。典型应用包括工业电机驱动、变频器、不同断电源(UPS)、电焊机以及光伏逆变器等系统中的功率开关和逆变桥臂。其性能参数使其成为在650V电压等级下,追求高功率密度和高可靠性设计的工程师的理想选择。
- 制造商产品型号:AOTF15B65M3
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:IGBT 650V 15A TO-220F
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:Alpha IGBT
- 零件状态:有源
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):650V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):30A
- 电流-集电极脉冲(Icm):45A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,15A
- 功率-最大值:30W
- 开关能量:280J(开),190J(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:25.4nC
- 25°C时Td(开/关)值:10ns/68ns
- 测试条件:400V,15A,20 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):263ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-220-3 整包
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOTF15B65M3现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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