AOTF280A60L技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)推出的 AOTF280A60L 是一款采用先进aMOS5技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的单元设计和先进的沟槽工艺，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过精细的栅极控制和优化的电荷分布，显著降低了开关过程中的能量损耗，从而提升了整体能效和功率密度，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

在电气性能方面，该器件展现出多项关键特性。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，确保了在严苛的工业或电网相关环境中的稳定运行。在25°C结温下，连续漏极电流（Id）可达14A，配合低至280毫欧（在7A，10V条件下）的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下能够有效降低传导损耗，减少发热。其栅极驱动设计也颇为高效，最大栅源电压（Vgs）为±20V，而典型的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为3.6V，这有助于简化驱动电路设计并兼容多种控制器。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值23.5nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值1350pF @ 100V）共同作用，实现了快速的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关电源拓扑至关重要。

该MOSFET采用坚固的TO-220F全塑封装，提供了良好的电气绝缘和散热性能，其最大功率耗散为30W（基于壳温Tc）。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应从消费电子到工业自动化等多种环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性组合，AOTF280A60L非常适合于要求高效率和高可靠性的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、电机驱动与逆变器、不间断电源（UPS）以及工业照明中的电子镇流器。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，并增强系统的整体功率密度和长期运行稳定性。

• 制造商产品型号：AOTF280A60L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 14A TO220F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tj）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：280 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：30W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF280A60L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。