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AOTF5B60D技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3 整包
  • 技术参数:IGBT 600V 10A 31.2W TO220F
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AOTF5B60D技术参数详情说明:

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOTF5B60D 是一款采用TO-220F封装的高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件隶属于AOS的Alpha IGBT产品系列,集成了先进的沟槽场截止技术,旨在实现低导通损耗与快速开关特性的优化平衡。其核心设计通过精细的元胞结构和薄晶圆工艺,有效降低了饱和压降(Vce(sat))并提升了电流密度,同时保持了稳健的短路耐受能力,为功率转换应用提供了可靠的核心开关解决方案。

该器件在电气性能上表现出色,其集电极-发射极击穿电压高达600V,最大连续集电极电流为14A,脉冲电流能力可达20A。一个关键的技术亮点是其较低的导通压降,在典型工作条件(Vge=15V, Ic=5A)下,Vce(on)最大值仅为1.8V,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其开关特性同样优异,总开关能量(Eon+Eoff)控制在180J以内,配合12ns(典型值)的开启延迟和83ns的关断延迟,使其非常适合高频开关应用。此外,仅9.4nC的低栅极电荷降低了驱动电路的设计复杂度和功耗。

AOTF5B60D 的标准输入特性使其与大多数常见的栅极驱动IC兼容,简化了系统设计。其采用通孔安装的TO-220-3封装,提供了良好的机械强度和散热能力,最大功耗为31.2W。器件的工作结温范围宽广,从-55°C延伸至150°C,确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,通过官方授权的AOS一级代理进行采购是保障产品正宗与获得专业服务的重要途径。

凭借其600V的耐压等级、高效的开关性能以及TO-220F封装的便利性,这款IGBT非常适用于各类中功率的交流-直流和直流-交流转换场景。典型应用包括工业电机驱动、变频器、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器以及焊接设备等。在这些领域中,它能够有效提升功率密度和能效,同时凭借其鲁棒性保障系统长期可靠运行。

  • 制造商产品型号:AOTF5B60D
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IGBT 600V 10A 31.2W TO220F
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:Alpha IGBT
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):14A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):20A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,5A
  • 功率-最大值:31.2W
  • 开关能量:140J(开),40J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:9.4nC
  • 25°C时Td(开/关)值:12ns/83ns
  • 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):98ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-220-3 整包
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOTF5B60D现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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