AOV11S60技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS系列的一员，AOV11S60是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计，实现了高密度集成，在紧凑的封装内平衡了导通电阻与栅极电荷等关键参数。该器件采用4-DFN-EP（8x8）表面贴装封装，集成了裸露焊盘以增强散热性能，这对于需要高可靠性的功率应用至关重要。

在电气特性方面，该器件具备600V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够承受严苛的电压应力环境。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、3.8A电流条件下典型值仅为500毫欧，这一低导通损耗特性直接提升了系统的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为11nC，结合545pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的驱动损耗更低，有助于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。

该MOSFET提供了灵活的电流承载能力，在环境温度（Ta）下连续漏极电流为650mA，而在借助封装良好散热（Tc）的条件下，电流能力可显著提升至8A。其功率耗散能力同样出色，最大可达156W（Tc）。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和高达±30V的栅源电压耐受能力，确保了其在工业级温度波动和潜在电压尖峰下的稳定运行。对于需要获取详细技术支持和样品的设计团队，可以通过官方授权的AOS代理进行咨询。

综合其高耐压、低损耗及快速开关特性，AOV11S60非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动中的逆变器模块以及LED照明驱动。其紧凑的DFN封装尤其适合空间受限的现代电子设备，为工程师提供了在高压、中功率领域实现高性能设计的可靠选择。

• 型号:AOV11S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:4-DFN（8x8）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):650mA（Ta），8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:8.3W（Ta），156W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:4-DFN（8x8）
• 封装/外壳:4-PowerTSFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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