AOW125A60技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）aMOS5系列中的高性能成员，AOW125A60是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，专为高电压、高效率的应用环境而设计。其核心架构基于优化的单元设计和工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的理想平衡，从而在严苛的工作条件下提供稳定可靠的性能表现。

该器件具备多项突出的功能特点。其600V的漏源电压（Vdss）额定值使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换中的高压应力。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）高达28A，结合125毫欧（@14A, 10V）的低导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通期间的功率损耗，提升了系统整体能效。其栅极驱动特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）仅为39nC（@10V），配合10V的标准驱动电压，有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与关键参数方面，AOW125A60采用坚固的TO-262通孔封装，便于安装和散热管理。其最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了较宽的驱动安全裕量。器件支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，并在壳温（Tc）下具有312.5W的最大功率耗散能力，确保了其在恶劣环境下的长期运行可靠性。输入电容（Ciss）等动态参数也经过精心控制，以优化开关行为。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的规格书、样品及设计协助。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，AOW125A60非常适合于要求严苛的功率电子应用场景。它是开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及不间断电源（UPS）等系统中功率开关单元的优选方案。无论是在工业自动化设备、服务器电源，还是新能源逆变领域，该器件都能为设计工程师提供一个高效、紧凑且可靠的功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AOW125A60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 28A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 14A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：39nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2993pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：312.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOW125A60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。