AON7404技术参数

AON7404是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率、高电流处理能力而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，在保证高可靠性的前提下，显著提升了功率转换效率和功率密度，适用于对空间和热管理要求严苛的现代电子系统。

该MOSFET具备出色的电气性能，其漏源击穿电压（Vdss）为20V，能够安全地应用于常见的12V及以下总线电压系统。在导通特性方面，其关键优势在于极低的导通电阻，在驱动电压Vgs为4.5V、漏极电流Id为20A的条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为6毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.6V，并与2.5V/4.5V的驱动电压规格相结合，确保了器件既能与低电压逻辑电平良好兼容，又能在标准驱动电压下实现充分导通。

在动态参数上，AON7404同样表现出色。其栅极总电荷（Qg）最大值仅为43nC（@10V），结合4630pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量较低，这有助于减小驱动电路的损耗、简化驱动设计并提升开关频率，从而支持更高功率密度的电源拓扑。器件的电流处理能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达40A，在环境温度（Ta）下为20A，最大功耗为40W（Tc），展现了强大的功率输出和散热潜力。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在恶劣环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持和批量供应，可以联系AOS总代理。

基于上述高性能参数组合，该器件非常适合应用于需要高效率电源转换和高功率密度的场景。典型应用包括服务器、通信设备的负载点（POL）同步整流和DC-DC转换器，笔记本电脑和平板电脑的电池管理系统，以及各类便携式设备中的电源开关和电机驱动电路。其紧凑的DFN封装和优异的电气特性，使其成为空间受限且对效率和热性能有高要求的现代电源设计中的理想选择。

• 型号:AON7404
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 20A/40A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4630 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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