AONS62614T技术参数

AONS62614T是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的AlphaSGT技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极结构，在单位面积内实现了极低的导通电阻与出色的开关特性平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。芯片内部集成了先进的保护与均流设计，确保了在高功率密度应用中的可靠性与稳定性。

该MOSFET的显著特性包括高达60V的漏源击穿电压（Vdss），以及优异的电流处理能力。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为39A；当结合有效的散热管理时，基于管壳温度的电流能力可高达100A。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压（Vgs）和20A测试条件下，最大值仅为2.5毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在90nC（@10V），配合2.2V（最大值）的低栅极阈值电压（Vgs(th)），使得器件能够实现快速、高效的开关动作，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，AONS62614T采用紧凑的8引脚DFN-EP（5mm x 6mm）表面贴装封装，该封装具有裸露的散热焊盘，能显著改善热性能，其最大结温（TJ）范围为-55°C至175°C。在25°C管壳温度下，最大功率耗散可达142W。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了足够的驱动裕量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取产品、数据手册及设计资源。

凭借其高耐压、大电流、低导通电阻和快速开关的综合优势，这款MOSFET非常适合用于要求严苛的功率转换场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及功率级设计、电机驱动控制、大电流负载开关以及各类工业电源模块。它能够有效提升48V输入中间总线架构、12V/24V电池供电系统以及多相降压转换器的功率密度和能效，是工程师实现高效、紧凑电源解决方案的理想选择。

• 型号:AONS62614T
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3660 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.5W（Ta），142W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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