AOW66616技术参数

AOW66616是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的AlphaSGT技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-262通孔封装，专为高效功率转换和开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过改进的沟槽栅极和电荷平衡技术，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了优异的开关特性，为系统工程师提供了一个在高功率密度和高可靠性要求场景下的理想选择。

该芯片的关键电气性能突出体现在其极低的导通电阻上，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，其Rds(On)最大值仅为3.2毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷Qg（最大值60nC @ 10V）与输入电容Ciss（最大值2870pF @ 30V）经过精心优化，有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，实现快速、干净的开关动作。其漏源电压额定值为60V，连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达140A，在环境温度（Ta）下为33A，展现出强大的电流处理能力。

在接口与参数方面，AOW66616的栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了宽裕的驱动电压容限。其阈值电压Vgs(th)最大值为3.4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫性和稳定的关断状态。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功率耗散在壳温条件下高达125W，结合TO-262封装良好的热性能，使其能够应对严苛的热环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取该产品，确保原厂品质和技术支持。

凭借其优异的性能组合，AOW66616非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动与控制、大电流负载开关以及各类工业电源系统。其高电流能力和低导通电阻特性，使其在同步整流、OR-ing（或门）电路以及半桥/全桥拓扑中作为主开关或同步开关使用时，能有效提升整体能效和功率密度，是工程师设计下一代高效能电力电子系统的有力组件。

• 型号:AOW66616
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 33A/140A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2870 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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