AOWF160A60技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-262F
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 24A TO262F
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AOWF160A60技术参数详情说明：
AOWF160A60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-262F通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在600V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低开关损耗和提升整体系统效率至关重要。
该MOSFET在25°C壳温（Tc）下可提供高达24A的连续漏极电流，展现了强大的电流处理能力。其关键特性在于，在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为160毫欧，这直接有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在46nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），确保了快速、干净的开关特性，有利于提高开关频率并减少驱动电路的负担。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了稳健的驱动安全裕度。
在接口与热性能方面，TO-262F（I2PAK）封装提供了良好的机械强度和便于焊接的通孔引脚，同时其低热阻特性支持高达27.7W（Tc）的功率耗散。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取完整的规格书、样品以及应用指导。
凭借600V的耐压等级、优异的开关性能与导通特性，AOWF160A60非常适用于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路、电机驱动、逆变器以及不间断电源（UPS）等中高功率应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能源转换效率，并保证系统在高压下的长期可靠运行。
- 制造商产品型号：AOWF160A60
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 24A TO262F
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：aMOS5
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 12A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：46nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2340pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：27.7W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-262F
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOWF160A60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。
