AOWF160A60技术参数

AOWF160A60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-262F通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在600V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低开关损耗和提升整体系统效率至关重要。

该MOSFET在25°C壳温（Tc）下可提供高达24A的连续漏极电流，展现了强大的电流处理能力。其关键特性在于，在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为160毫欧，这直接有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在46nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），确保了快速、干净的开关特性，有利于提高开关频率并减少驱动电路的负担。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了稳健的驱动安全裕度。

在接口与热性能方面，TO-262F（I2PAK）封装提供了良好的机械强度和便于焊接的通孔引脚，同时其低热阻特性支持高达27.7W（Tc）的功率耗散。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取完整的规格书、样品以及应用指导。

凭借600V的耐压等级、优异的开关性能与导通特性，AOWF160A60非常适用于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路、电机驱动、逆变器以及不间断电源（UPS）等中高功率应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能源转换效率，并保证系统在高压下的长期可靠运行。

• 型号:AOWF160A60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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