AONR21307技术参数

AONR21307是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装，专为高密度、高效率的电源管理应用而设计。其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，从而在紧凑的物理尺寸内提供卓越的功率处理能力。

该器件具备多项突出的电气特性。其30V的漏源电压（Vdss）额定值使其适用于多种中低压电源总线环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）高达24A，展现出强大的电流承载能力。尤为关键的是，在10V驱动电压（Vgs）和17A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为11毫欧，这一极低的导通损耗直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为50nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，AONR21307的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，且栅源电压（Vgs）可承受±25V的最大值，提供了良好的设计裕度和鲁棒性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V @ 250A，确保了与主流逻辑电平控制器良好的兼容性。器件的工作结温范围宽广，为-55°C至150°C，并支持高达5W（环境温度）和28W（壳温）的功率耗散，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要本地技术支持与供应的设计团队，可以通过AOS中国代理获取详细的技术资料和供应链支持。

凭借其高性能指标，AONR21307非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。典型应用包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑和服务器中的负载开关与电源路径管理；通信设备及网络基础设施的DC-DC转换器同步整流或高端开关；以及便携式设备、电池管理系统（BMS）中的充电控制和反向电流保护电路。其出色的热性能和电气特性使其成为提升现代电子系统功率密度和能效的理想选择。

• 制造商产品型号：AONR21307
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 17A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1995pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：5W（Ta），28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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