AOWF296技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下AlphaSGT产品系列的一员，AOWF296是一款采用先进屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET技术的N沟道功率器件。该架构通过在单元结构中集成一个屏蔽电极，有效降低了栅极电荷（Qg）和栅漏电荷（Qgd），同时优化了电场分布，从而在导通电阻（Rds(on)）与开关性能之间取得了卓越的平衡。其设计旨在满足高效率、高功率密度的应用需求，是工程师在高性能电源和电机驱动方案中的可靠选择。

该器件具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为100V，在25°C壳温条件下可支持高达37A的连续漏极电流，展现了强大的功率处理能力。其导通电阻极低，在10V栅源电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）的测试条件下，最大值仅为9.7毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在52nC（@10V），结合3.4V（@250A）的典型栅极阈值电压，意味着它能够实现快速、干净的开关切换，减少开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，AOWF296采用坚固的通孔安装TO-262F封装，具有良好的散热性能和机械可靠性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了宽裕的驱动安全裕量。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的规格书、样品以及应用指导。

凭借其高电压、大电流、低导通电阻和快速开关的综合优势，这款MOSFET非常适合应用于对效率要求苛刻的场合。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、高效率开关电源（SMPS）的同步整流和初级侧开关、电机驱动与控制系统（如电动工具、无人机电调）、以及各类工业电源和逆变器模块。其稳健的设计使其成为提升终端产品能效和可靠性的关键组件。

• 型号:AOWF296
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 37A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:26W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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