AOWF8N50技术参数

AOWF8N50 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 设计生产的高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用成熟的平面型 MOSFET 技术，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其 500V 的漏源击穿电压（Vdss）为开关电源中的主功率开关或 PFC（功率因数校正）电路提供了充足的电压裕量，确保了系统在高压输入或存在电压尖峰情况下的长期可靠性。同时，其优化的单元结构有效降低了器件的寄生电容，为提升开关频率和效率奠定了基础。

在电气性能方面，AOWF8N50 展现出卓越的导通特性，在结温（Tc）为 25°C 时，其连续漏极电流（Id）额定值为 8A。当栅源驱动电压（Vgs）为 10V、漏极电流为 4A 时，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为 850 毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 4.5V，结合 ±30V 的最大栅源电压，为驱动电路的设计提供了良好的兼容性和安全性。其栅极总电荷（Qg）在 Vgs=10V 时最大值为 28nC，配合 1042pF 的输入电容（Ciss），意味着该器件具有较快的开关速度，有助于降低开关过程中的损耗，尤其适用于高频开关应用。

该器件采用 TO-262F（I2PAK）封装，这是一种通孔安装形式的封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散为 27.8W（Tc）。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理商 获取产品、样品以及详细的设计资料。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，AOWF8N50 非常适用于离线式开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动、工业照明以及各类需要高效功率转换的场合。在 AC-DC 电源的功率因数校正级、反激式或正激式主拓扑中，它都能作为可靠的主开关管，帮助设计者实现高功率密度和高效率的系统设计目标。

• 制造商产品型号：AOWF8N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：850 毫欧 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1042pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：27.8W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOWF8N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。