AOWF360A70技术参数

AOWF360A70 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的 aMOS5 技术平台开发的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-262F 通孔封装，专为要求高耐压、高效率的开关电源应用而设计，其核心优势在于通过优化的单元结构和工艺技术，在 700V 的高漏源电压（Vdss）下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。

该芯片的显著特性在于其卓越的开关性能与导通特性。在 10V 栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为 360 毫欧（@6A），这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）被控制在 22.5nC（@10V）的较低水平，配合 1360pF 的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟得以显著减少，尤其适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）最大额定值为 ±20V，提供了宽裕且安全的驱动裕量。

在电气参数方面，AOWF360A70 在结温（Tj）25°C 下的连续漏极电流（Id）额定值为 12A，最大功率耗散能力为 29.5W（Tc）。其阈值电压 Vgs(th) 最大值为 4V（@250A），确保了良好的噪声免疫能力和可靠的关断特性。器件的工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，使其能够适应严苛的环境要求。对于需要本地技术支持和库存保障的客户，可以通过官方授权的 AOS中国代理 获取详细的技术资料、样品及采购支持。

凭借 700V 的高耐压和优异的 FOM（品质因数，Rds(on)*Qg），这款 MOSFET 非常适用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、反激或正激变换器的主开关、工业电机驱动的逆变器桥臂以及不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等能源转换系统。其 TO-262F（TO-262 全塑封）封装在提供良好散热性能的同时，也满足了高爬电距离和电气绝缘的安全规范要求，是工程师设计高可靠性、高效率功率转换方案的理想选择。

• 制造商产品型号：AOWF360A70
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 12A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tj）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1360pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：29.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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