AO4726技术参数

AO4726是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率器件，属于其SRFET产品系列。该器件采用先进的沟槽栅极和单元设计，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，其核心架构优化了电荷平衡，从而在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够高效处理高达20A的连续漏极电流。这种设计在降低传导损耗的同时，也有效控制了开关过程中的能量损失，为电源转换和电机驱动应用提供了坚实的性能基础。

该MOSFET的功能特性突出体现在其优异的电气参数上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至4.5毫欧（在20A条件下），这直接转化为更低的通态功耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，结合最大73nC（@10V）的栅极总电荷（Qg），意味着器件具备良好的驱动兼容性和快速的开关速度，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率。此外，器件内部集成了体二极管（肖特基二极管功能），为感性负载提供了续流路径，增强了系统的可靠性。

在接口与参数方面，AO4726采用标准的8-SOIC表面贴装封装，便于自动化生产并节省电路板空间。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±12V，提供了安全的驱动电压范围。尽管其最大输入电容（Ciss）为3800pF，但在低栅极电荷的配合下，整体的开关性能依然出色。器件的结温（TJ）工作范围宽达-55°C至150°C，并具有1.7W（Ta）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。需要指出的是，该产品目前已处于停产状态，在选型时需考虑替代方案或库存情况，相关信息可咨询AOS总代理。

基于其30V/20A的额定值与低导通电阻特性，AO4726非常适用于对效率和功率密度有较高要求的DC-DC转换器同步整流侧、电机驱动H桥电路中的低侧开关、以及各类电池保护与负载开关应用。其快速开关能力也使其成为高频开关电源中理想的选择，能够有效提升电源模块的整体性能。

• 制造商产品型号：AO4726
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：73nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3800pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO4726现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。