AO6602G技术参数详情说明:
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- 型号:AO6602G
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:6-TSOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 6TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:N 和 P 沟道
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A(Ta),2.7A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):4.05nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):210pF @ 15V
- 功率 - 最大值:1.15W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SC-74,SOT-457
- 供应商器件封装:6-TSOP
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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