AOD5N50M技术参数

AOD5N50M是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面型MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具备紧凑的物理尺寸和良好的散热能力，其功率耗散能力在壳温（Tc）条件下最高可达104W，工作结温范围覆盖-50°C至150°C，确保了其在宽温环境下的稳定性和可靠性。

该器件的核心优势在于其500V的高漏源击穿电压（Vdss）与优化的导通电阻特性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A。当栅源驱动电压（Vgs）为10V时，在2.5A的漏极电流下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为1.6欧姆，这一特性有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V（测试条件为Id=250A），结合最大±30V的栅源电压耐受能力，为驱动电路的设计提供了充足的裕量和安全保障。

在动态特性方面，AOD5N50M表现出色。在Vgs=10V的条件下，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为14nC，同时在Vds=25V时，输入电容（Ciss）最大值也控制在670pF。这些较低的电荷和电容参数意味着器件在开关过程中所需的驱动能量更少，能够实现更快的开关速度，从而降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。用户可以通过AOS授权代理获取该产品的完整技术资料与供应链支持。

综合其电气参数，这款MOSFET非常适合应用于需要高耐压和中等电流处理能力的功率转换场景。其典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED驱动电源以及电机控制中的逆变器模块。尽管该产品系列目前已处于停产状态，但其经过市场验证的设计和性能参数，对于许多现有设计的维护或对成本敏感的新项目评估仍具有重要的参考价值。

• 型号:AOD5N50M
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD5N50M现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。