AOD478技术参数

AOD478是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件在栅极结构上进行了精细化处理，确保了在较宽的栅极驱动电压范围内具有稳定且较低的导通损耗，同时其热设计考虑了在高温环境下的可靠运行，结温范围覆盖-55°C至175°C，为系统提供了宽泛的工作裕度。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，使其能够稳定工作在需要中高电压隔离的场合。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为2.5A，而在借助封装散热（壳温Tc条件下）时，该值可显著提升至11A，这突显了其优异的散热能力和功率处理潜力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和4.5A漏极电流条件下，最大值仅为140毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.8V，结合最大±20V的栅源电压耐受能力，使其既能与低电压逻辑电平良好兼容，又具备足够的栅极驱动鲁棒性。

在动态参数方面，AOD478同样表现出色。在10V Vgs条件下，其总栅极电荷（Qg）最大值仅为13nC，配合540pF（最大值，@50V Vds）的输入电容（Ciss），共同决定了其极低的开关损耗和潜在的更高开关频率能力，这对于提升开关电源等应用的效率至关重要。其功率耗散能力在壳温（Tc）条件下可达45W，结合TO-252封装良好的热性能，为设计紧凑、功率密度高的应用提供了可能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其100V的耐压、出色的电流处理能力、低导通与开关损耗以及宽温度范围，AOD478非常适用于多种中功率应用场景。它常被用作DC-DC转换器中的主开关管或同步整流管，特别是在24V或48V输入的工业电源、通信设备电源模块中。此外，在电机驱动控制电路、电池保护板、LED照明驱动以及各类需要高效功率切换的消费电子和汽车电子辅助系统中，它都能发挥关键作用，帮助系统实现高效率、高可靠性和小型化的设计目标。

• 型号:AOD478
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.5A/11A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta），11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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