AON2260技术参数

AON2260是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的6-DFN-EP（2x2）封装，专为表面贴装工艺设计，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能和热管理能力。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过降低栅极电荷和输入电容，显著提升了开关效率，使其成为高效率功率转换应用中的理想选择。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和在25°C环境温度下6A的连续漏极电流（Id）能力，提供了稳健的电压和电流处理裕量。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和6A漏极电流条件下，最大值仅为44毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为4.5V至10V，同时栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，确保了与主流逻辑电平控制器良好的兼容性。

在动态性能方面，AON2260表现出色。其最大栅极总电荷（Qg）在10V条件下仅为12nC，结合最大426pF的输入电容（Ciss），共同决定了极低的开关损耗，特别适合高频开关应用。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±20V，提供了较强的栅极可靠性。其结温（TJ）工作范围宽广，从-55°C到150°C，并能在环境温度（Ta）下耗散最大2.8W的功率，这得益于DFN封装底部的裸露焊盘（EP）设计，该设计优化了热传导路径至PCB，增强了散热性能。

凭借其综合性能，该器件广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制电路、电池管理系统（BMS）中的保护开关，以及各类消费电子和工业设备的电源管理模块。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取完整的技术资料、样品支持和批量采购服务。

• 型号:AON2260
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:44 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:426 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-DFN（2x2）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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