

AOZ8211DI-02技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:TVS - 二极管,封装:0402(1006 公制)
- 技术参数:TVS DIODE 2.5V 9.5V 2DFN
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AOZ8211DI-02技术参数详情说明:
AOZ8211DI-02是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用紧凑型2DFN封装、符合0402(1006公制)尺寸的表面贴装瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件基于齐纳二极管技术构建,其核心功能是在高速瞬态电压事件(如静电放电ESD或电气快速瞬变EFT)发生时,提供一个低阻抗的箝位路径,从而将受保护线路上的过电压限制在一个安全的水平,防止后续精密电路因电压尖峰而损坏。
该器件设计为单向通道保护,其关键电气特性定义了其保护性能的边界。其反向断态电压典型值为2.5V,这意味着在正常工作条件下,它对于低于此阈值的信号呈现高阻抗状态,对电路影响极小。当瞬态电压超过其最小击穿电压2.8V时,器件迅速进入雪崩击穿状态。在承受高达6A(8/20s波形)的峰值脉冲电流冲击时,其箝位电压被严格控制在最大值9.5V以下,这一低箝位电压特性对于保护工作电压较低的现代IC(如处理器内核、传感器、高速接口)至关重要,能有效减少传递到受保护器件的残余能量。其峰值脉冲功率处理能力达到50W,确保了在单次严重瞬态事件中的可靠性。
除了强大的浪涌保护能力,AOZ8211DI-02在高速数据线路保护方面表现出色,这得益于其极低的结电容,在1MHz频率下典型值仅为11pF。这种低电容特性可以最大限度地减少对高速信号完整性的影响,如信号边沿的畸变和衰减,使其非常适合用于USB、HDMI、以太网、天线端口等高速数据线的ESD保护。其工作结温范围覆盖-40°C至85°C,能够适应严苛的工业与消费电子应用环境。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS中国代理获取稳定的货源和本地化的技术服务。
综合来看,这款TVS二极管以其小尺寸、低箝位电压和低电容的平衡设计,主要面向空间受限且对信号质量要求高的应用场景。它广泛应用于便携式消费电子产品(如智能手机、平板电脑)、计算机及外围设备、通信模块以及工业控制设备中,为其中的数据线、电源线和I/O端口提供符合IEC 61000-4-2等标准的ESD防护,是提升系统电磁兼容性(EMC)和可靠性的关键元件之一。
- 制造商产品型号:AOZ8211DI-02
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:TVS DIODE 2.5V 9.5V 2DFN
- 系列:TVS - 二极管
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压-反向断态(典型值):2.5V(最大)
- 电压-击穿(最小值):2.8V
- 不同Ipp时电压-箝位(最大值):9.5V
- 电流-峰值脉冲(10/1000s):6A(8/20s)
- 功率-峰值脉冲:50W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:11pF @ 1MHz
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:0402(1006 公制)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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