AON6400技术参数

AON6400是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作，其设计旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其核心架构优化了单元密度与沟道迁移率，从而在给定的芯片面积内实现了极低的导通电阻。

该器件的一个关键特性是其卓越的导通性能，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至1.4毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为170nC @ 10V，结合8300pF @ 15V的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟被显著降低，使其非常适合高频开关应用。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V @ 250A，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性，同时提供了足够的噪声容限。

在电气参数方面，AON6400的额定漏源电压（Vdss）为30V，能够承受常见的24V及以下总线电压。其电流处理能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为31A，而在管壳温度为25°C时，该值可高达85A，这得益于其优异的封装热性能，最大功率耗散在管壳条件下可达83W。栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±20V，提供了可靠的栅极保护。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS授权代理获取该产品的技术支持和供货信息。

凭借其高电流能力、低导通与开关损耗以及紧凑的封装尺寸，该MOSFET广泛应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器中的负载开关、电机驱动控制电路以及各类便携式电子设备的电源管理模块。其设计特别注重在空间受限的高性能系统中实现热管理和电气性能的最优化。

• 制造商产品型号：AON6400
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 31A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：31A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：170nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8300pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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