AON6932技术参数

AON6932是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用8-PowerVDFN封装的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET，构成一个半桥拓扑的理想选择，其设计旨在通过先进的沟槽技术实现高效率与高功率密度。其核心架构优化了电流通路与热分布，使得在紧凑的封装内能够处理显著的功率等级，同时维持较低的寄生参数，这对于高频开关应用至关重要。

该器件的一个突出特性是其逻辑电平门极驱动，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.2V，这使其能够与3.3V或5V的现代微控制器及数字信号处理器直接兼容，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。其导通电阻(Rds(on))在10V Vgs和20A Id条件下典型值低至5毫欧，这一低导通损耗特性直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。此外，22nC的低栅极电荷(Qg)与1037pF的输入电容(Ciss)共同确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适用于需要高频率PWM控制的应用场景。

在电气参数方面，AON6932的每个MOSFET通道具备30V的漏源电压(Vdss)额定值，连续漏极电流(Id)在25°C下分别为22A和36A，提供了稳健的电流处理能力。其最大功耗为3.6W至4.3W，结合-55°C至150°C的宽结温(TJ)工作范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠性。表面贴装型的8-PowerVDFN封装不仅节省了PCB空间，其优化的引脚布局也有助于改善散热和电气性能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取该器件及相关设计资源。

基于其高性能参数，AON6932非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。典型应用包括同步整流DC-DC转换器（如降压、升压拓扑）、电机驱动控制（用于无人机、小型机器人）、锂离子电池保护电路以及负载开关等。其半桥配置使其成为H桥电机驱动和某些电源拓扑中高边和低边开关的直接解决方案，能够有效提升终端产品的能效和功率密度。

• 型号:AON6932
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A，36A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1037pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.6W，4.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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