AON7406技术参数

AON7406是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装型封装内。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡，其漏源电压（Vdss）额定值为30V，为低压开关应用提供了充足的电压裕量。

在电气特性方面，该MOSFET展现出优异的性能。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）为9A；而在管壳温度（Tc）条件下，这一数值可高达25A，体现了其强大的电流承载潜力。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和9A漏极电流条件下，最大值仅为17毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值在10V Vgs时为18nC，结合2.4V（最大值）的低栅极阈值电压（Vgs(th) @ 250A），意味着该器件易于驱动，能够实现快速的开关切换，有助于减少开关损耗并提升高频应用的性能。

该器件的接口与参数设计充分考虑了实际应用的鲁棒性与便利性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了良好的栅极保护能力。输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为888pF，属于中等水平，与低栅极电荷特性结合，优化了驱动电路的设计。其最大功率耗散在环境温度下为3.1W，在管壳温度下可达15.5W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取该产品。

综合其技术参数，AON7406非常适用于需要高效率、高密度设计的低压大电流开关场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类便携式设备、服务器和通信设备的电源管理单元。其紧凑的DFN封装特别适合空间受限的现代电子产品设计，帮助工程师在提升功率密度的同时，确保系统的热性能和电气性能。

• 制造商产品型号：AON7406
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 9A/25A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），25A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：888pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），15.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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