AON7804_101技术参数

AON7804_101是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用先进的平面工艺技术制造，集成于紧凑的8-PowerSMD扁平引线封装内。该器件旨在为空间受限的现代电子设备提供高效的功率开关解决方案，其核心架构将两个独立的MOSFET通道集成于单一芯片上，实现了高密度布局与优异的电气隔离，有助于简化PCB设计并提升系统可靠性。

该芯片具备出色的电气性能，其漏源电压（Vdss）为30V，能够满足多种中低压应用的需求。在导通特性方面，其导通电阻（RDS(on)）典型值在10V Vgs、8A Id条件下低至21毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为18nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或驱动IC直接控制。

在热性能和可靠性方面，AON7804_101展现了强大的鲁棒性。其最大连续漏极电流在环境温度（Ta）下为9A，在管壳温度（Tc）下可达22A，提供了充足的电流处理能力。器件支持高达3.1W（Ta）和17W（Tc）的功耗，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。表面贴装型封装优化了散热路径，便于通过PCB铜箔进行有效热管理。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方授权的AOS一级代理进行采购，以确保获得正品和技术支持。

凭借其低导通电阻、快速开关特性、双通道集成以及优异的散热能力，AON7804_101非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。典型应用场景包括服务器和通信设备的负载点（POL）DC-DC转换器、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类便携式电子设备中的电源分配开关。其设计平衡了性能、尺寸与成本，是工程师在构建紧凑高效功率系统时的优选器件之一。

• 型号:AON7804_101
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），22A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:888pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.1W（Ta），17W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 供应商器件封装:8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7804_101现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。