AOTF14N50FD技术参数

AOTF14N50FD是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装，专为高压、高功率应用设计。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在优化高压下的导通损耗与开关性能的平衡。其500V的漏源击穿电压（Vdss）为系统提供了宽裕的安全工作裕量，而14A的连续漏极电流（Id）能力则确保了其在多种功率等级下的适用性。

该器件的关键特性体现在其优异的导通电阻与栅极电荷性能上。在10V栅极驱动电压（Vgs）和7A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为470毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为47nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更快。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了较强的抗栅极噪声能力。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取产品与技术支援。

在电气参数方面，AOTF14N50FD在25°C管壳温度（Tc）下的最大功耗为50W，其导通阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V（在250A漏极电流下测得），这确保了器件在常见逻辑电平驱动下的可靠开启与关断。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为2010pF，是评估开关速度与驱动需求的重要参数。器件采用通孔安装的TO-220-3F封装，具有良好的机械强度和散热性能，工作结温（Tj）范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，AOTF14N50FD非常适合应用于需要高效能量转换的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及工业照明镇流器等。在这些场景中，其稳健的性能有助于提升整体系统的可靠性、功率密度和能效水平。

• 制造商产品型号：AOTF14N50FD
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 14A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：470 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：47nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2010pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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